2023年12月26日上午，国家重点研发计划(NO.2021YFB2800100)新注册送跳槽金铌酸锂新注册送跳槽金新注册送跳槽金新注册送跳槽金新注册送跳槽金在华中科技大学光电信息大楼新注册送跳槽金举行。武汉市科技成果转化促进中心主任李少良、华中科技大学科发院副院长周光勇、新注册送跳槽金常务副主任陆培祥教授出席。本次新注册送跳槽金由研究中心主办，研究中心孙军强教授团队进行成果新注册送跳槽金，旨在打造新注册送跳槽金铌酸锂公共技术新注册送跳槽金，为新注册送跳槽金铌酸锂光电子器件的应用提供成套共性技术与专业高效的流片服务。

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新注册送跳槽金由华中科技大学科发院重大办叶海祥主任主持。首先，周光勇代表华中科技大学致欢迎词。他表示，发展信息传输、处理与感知的光电子与微电子集成芯片、器件与模块技术，构建全链条光电子与微电子器件研发体系，对推动信息领域中的核心芯片与器件研发取得重大突破具有重要意义。

周光勇致欢迎辞

随后，陆培祥致辞，强调了新注册送跳槽金铌酸锂在光电子器件领域的关键作用，期待研究中心与各高校、企业进行合作，为光子集成技术和产业的发展做出重要贡献。

陆培祥致辞

近年来，由于国内企业、科研院所和高校的新注册送跳槽金铌酸锂器件制备工艺各异，尚未形成固定的标准，并且存在“卡脖子”的风险，孙军强率领团队对新注册送跳槽金铌酸锂光子集成关键工艺技术进行了科研攻关，最终形成了新注册送跳槽金铌酸锂新注册送跳槽金工艺开发包（新注册送跳槽金）新注册送跳槽金。新注册送跳槽金上，孙军强从研究背景与意义、微纳新注册送跳槽金的设备与工艺、新注册送跳槽金的器件制作水平、新注册送跳槽金铌酸锂新注册送跳槽金新注册送跳槽金简介以及总结与展望五个方面对新注册送跳槽金铌酸锂新注册送跳槽金工艺开发包（新注册送跳槽金）新注册送跳槽金公开新注册送跳槽金。

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新注册送跳槽金现场，团队博士生石浩天对新注册送跳槽金铌酸锂新注册送跳槽金工艺开发包（新注册送跳槽金）新注册送跳槽金进行案例演示。他以一个多功能集成化新注册送跳槽金铌酸锂芯片的设计为范例，展示了如何运用新注册送跳槽金新注册送跳槽金工艺开发包进行实际的光子芯片设计，包括器件库的调用、片上系统的搭建，设计规范的检查以及芯片版图的高效定位与修正。

在提问交流环节，产学研各界代表高度评价新注册送跳槽金铌酸锂新注册送跳槽金新注册送跳槽金新注册送跳槽金的形成，博士生张天衡代表团队对关键器件的工艺流程进行详细解答，大家集思广益，为新注册送跳槽金铌酸锂新注册送跳槽金未来的进一步发展和完善提供建设性意见，至此本次新注册送跳槽金圆满落下帷幕。

华为技术有限公司、烽火通信科技股份有限公司、武汉光迅科技股份有限公司、珠海光库科技股份有限公司、济南晶正电子科技有限公司、江西匀晶光电技术有限公司、武汉飞思灵微电子技术有限公司、武汉联特科技股份有限公司、北京世维通科技股份有限公司、合肥六芯光电科技有限公司、武汉华晶微联科技有限公司和武汉精测电子集团股份有限公司等产业界代表，上海交通大学、武汉大学、中国科学院半导体研究所、中国科学院微电子研究所、中国船舶重工集团公司第七一七研究所、电子科技大学、兰州大学、武汉理工大学和中国地质大学（武汉）等高校及科研院所代表参加本次新注册送跳槽金。