近年来，纳米光电子器件由于工作速度快、功耗低、信息存储量大、体积和重量显著减小等特点引起人们的极大关注。作为半导体家族中的一员，磷化锌、磷化镉等II-V族材料是重要的窄带隙p型半导体材料，在激光器、太阳能电池方面有着重要的应用前景。
武汉光电国家实验室（筹）能源光电子功能实验室沈国震教授领导的团队立足于II-V族一维纳米材料，在前期大量相关工作的基础上，结合国内外在排列纳米线器件领域的最新研究进展，设计了集成的Zn3As2阵列纳米线光电器件。首先采用化学气相沉积的方法在硅片生长Zn3As2纳米线薄膜，然后采用contact printing的方法实现该材料在柔性基底上的有序排列。通过研究发现，单根Zn3As2纳米线晶体管呈现出良好的性能，其迁移率高达305.5 cm2V-1s-1，开关比达到105。而通过组装排列得到的纳米线阵列晶体管也呈现出优良的开关比（~104）。此外，大面积的纳米线阵列光探器件也被组装到柔性的衬底上，结果显示，该种结构的器件对可见光有良好的响应，且呈现出优良的重复性和稳定性。经过不同程度的弯折后，性能基本不受影响。这种光电器件的设计为纳米光电器件的组装和面向实用化的提供了一种良好的思路，同时也为纳米功能材料在微型的纳米光电器件方面应用提供了可借鉴的模型与方法。

该项研究成果得到了国家自然科学基金（91123008，51002059, 21001046）、973计划（2011CBA00703, 2011CB933300）、新世纪优秀人才支持计划（NCET-11-0179）等的支持。相关研究成果发表在德国Wiley公司期刊Advanced Functional Materials (2012, DOI:10.1002/adfm.201202739)上。